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J-GLOBAL ID：200903086696989181
多結晶シリコン製造用流動層反応器
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992304851
Publication number (International publication number)：1994127923
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：
【要約】【構成】 流動層反応器内にシリコン粒子を流動状態に保持し、流動層内に吹き込まれたシラン化合物含有ガスを還元又は熱分解することにより粒状多結晶シリコンを製造する装置において、シリコン粒子が接触する流動層反応器構成部材の少なくとも表面から深さ20μmまでの材料中の不純物(Ia族、IIa族、遷移金属元素、硼素、燐及び砒素)の合計含有量が10ppm以下であるものを使用する。【効果】 流動層反応器からのシリコン粒子への不純物の混入を長時間にわたって充分に防止することができ、半導体用途に使用し得る高純度の粒状多結晶シリコンを長時間製造することができる。
Claim (excerpt)：
シリコン粒子を流動化させる流動層反応器において、シリコン粒子が接触する反応器構成部材の少なくとも表面から深さ20μmまでの材料中の不純物元素の合計含有量が10ppm以下であることを特徴とする多結晶シリコン製造用流動層反応器。
IPC (2)：
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