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J-GLOBAL ID：200903086698293737
半導体レーザ励起固体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993225352
Publication number (International publication number)：1995086668
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザ励起Qスイッチ固体レーザ装置においてQスイッチ動作によって高パワーの固体レーザビームが半導体レーザに帰還しない手段を設け、半導体レーザを劣化や破壊から護する。【構成】 レーザ結晶を含む共振器構造と、共振器内Qスイッチと、前記レーザ結晶を励起する半導体レーザが前記共振器によって形成される固体レーザの発振ビームの光軸上に配置された固体レーザ装置で、固体レーザ発振ビームが前記励起用半導体レーザに帰還しないためのアイソレート構造を有する。
Claim (excerpt)：
レーザ結晶を含む共振器構造と、共振器内部に配置されたQスイッチと、前記レーザ結晶を励起するための半導体レーザが前記共振器によって形成される固体レーザの発振ビームの光軸上に配置された固体レーザ装置において、固体レーザ発振ビームが前記励起用半導体レーザに帰還しないためのアイソレート構造を有する半導体レーザ励起固体レーザ装置。
IPC (3)：
H01S 3/094
, H01S 3/117
, H01S 3/16
