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J-GLOBAL ID：200903086705509341
スパッタリング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994318115
Publication number (International publication number)：1996176818
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 09, 1996
Summary：
【要約】【構成】 真空槽10内に、ターゲット11を設置する第1の電極12と、基板13を設置する第2の電極14と、それらの間のコイル状の第3の電極15を有するスパッタリング装置に対し、第1の電極12と第3の電極15の間にメッシュ状の第4の電極18を設け、第1の電極12と第3の電極15にはそれぞれ高周波電圧を、第2の電極14には直流電圧を印加してスパッタリングを行う。【効果】 高品質な導電膜、絶縁膜や半導体膜を、種々な材質の基板の上に堆積させることができる。
Claim (excerpt)：
ターゲットを設置する第1の電極と、基板を設置する第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極の間に配置されたコイル状の第3の電極を有するスパッタリング装置において、少なくとも1つの電極からなる電極群を前記第1の電極と前記第2の電極の間に有することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3)：
C23C 14/42
, C23C 14/34
, H01L 21/203
