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J-GLOBAL ID：200903086709867137

炭化珪素半導体素子

Inventor： 川瀬 大助 ,  大野 俊之 ,  小園 裕三 ,  八尾 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994200434
Publication number (International publication number)：1996064800
Application date： Aug. 25, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】低コンタクト抵抗,炭化珪素半導体のオーム性電極を形成し、高電圧,大電流および高温において信頼性の高い炭化珪素半導体素子を得る。【構成】炭化珪素単結晶上に金属珪化物,金属炭化物及び金属,珪素,炭素からなる複合化合物の複数種類を含む層を積層してオーム性電極とした電極構造を持つ炭化珪素半導体素子。また、電極構造上に任意の金属層を積層してオーム性電極とした電極構造を持つ炭化珪素半導体素子。

Claim (excerpt)：

炭化珪素単結晶に金属珪化物,金属炭化物及び金属,珪素,炭素からなる複合化合物の複数種類を含む層を積層してオーム性電極としたことを特徴とする炭化珪素半導体素子。

IPC (3)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301