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J-GLOBAL ID:200903086713629542

レジスト用樹脂、化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999198164
Publication number (International publication number):2001022075
Application date: Jul. 12, 1999
Publication date: Jan. 26, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高いドライエッチング耐性を有するDUVエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーに好適なレジスト用樹脂および化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸によりアルカリ水溶液に可溶となるレジスト用樹脂であって、式(1)、(2)および(3)から選ばれる少なくとも1種の構造を有する単量体単位が含まれていることを特徴とするレジスト用樹脂。【化7】(Rは水素原子またはアルキル基、nは0〜10の整数)【化8】(Rは水素原子またはアルキル基、nは0〜10の整数)【化9】(Rは水素原子またはアルキル基、mは0〜3の整数、nは0〜10の整数)
Claim (excerpt):
酸によりアルカリ水溶液に可溶となるレジスト用樹脂であって、式(1)、(2)および(3)から選ばれる少なくとも1種の構造を有する単量体単位が含まれていることを特徴とするレジスト用樹脂。【化1】(Rは水素原子またはアルキル基、nは0〜10の整数)【化2】(Rは水素原子またはアルキル基、nは0〜10の整数)【化3】(Rは水素原子またはアルキル基、mは0〜3の整数、nは0〜10の整数)
IPC (3):
G03F 7/039 601 ,  C08F 24/00 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601 ,  C08F 24/00 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (40):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB30 ,  2H025CB52 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA41 ,  4J100AB07P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL10Q ,  4J100AR28Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA11R ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC54Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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