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J-GLOBAL ID:200903086726965800
X線装置用の方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山口 巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006214392
Publication number (International publication number):2007044520
Application date: Aug. 07, 2006
Publication date: Feb. 22, 2007
Summary:
【課題】セグメンテーション時の誤分類を回避する。【解決手段】対象内の物質の均質性の尺度として画像範囲(1)内の特性量を求めるためのX線装置用の方法において、少なくとも2つの異なるX線エネルギーE1,E2について、対象を通り抜けるX線の減弱を表す減弱値Di(E1),Di(E2)(i=1,...,N)を有する2つのX線画像(5,6)が検出され、画像範囲(1)において、第1のX線エネルギーE1で検出されたX線画像(5)の減弱値Di(E1)と、第2のX線エネルギーE2で検出されたX線画像(6)の減弱値Di(E2)とから、対応する画素Diについて、測定値対(D1(E1),D1(E2)),...,(DN(E1),DN(E2))が形成され、画像範囲(1)の測定値対(D1(E1),D1(E2)),...,(DN(E1),DN(E2))の統計的分布の評価によって対象の物質の均質性の尺度として特性量が求められる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
対象(4)内の物質の均質性の尺度として画像範囲(1)内の特性量Hを求めるためのX線装置用の方法において、
a)少なくとも2つの異なるX線エネルギーE1,E2について、対象(4)を通り抜けるX線の減弱を表す減弱値Di(E1),Di(E2)(i=1,...,N)を有する2つのX線画像(5,6)が検出され、
b)画像範囲(1)において、第1のX線エネルギーE1で検出されたX線画像(5)の減弱値Di(E1)と、第2のX線エネルギーE2で検出されたX線画像(6)の減弱値Di(E2)とから、対応する画素Diについて、測定値対(D1(E1),D1(E2)),...,(DN(E1),DN(E2))が形成され、
c)画像範囲(1)の測定値対(D1(E1),D1(E2)),...,(DN(E1),DN(E2))の統計的分布の評価によって対象(4)の物質の均質性の尺度として特性量Hが求められる
ことを特徴とするX線装置用の方法。
IPC (1):
FI (3):
A61B6/03 373
, A61B6/03 375
, A61B6/03 360G
F-Term (5):
4C093AA24
, 4C093CA21
, 4C093DA02
, 4C093EA07
, 4C093FF42
Patent cited by the Patent: