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J-GLOBAL ID:200903086743114466
シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998175838
Publication number (International publication number):2000009846
Application date: Jun. 23, 1998
Publication date: Jan. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 シンチレータの耐湿性を向上させると共に解像度を向上させることである。【解決手段】 シンチレータパネル2のFOP10の一方の表面には柱状結晶構造のシンチレータ12が形成されている。この柱状結晶構造のシンチレータ12の隙間には、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン14が充填され、シンチレータ12が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン14により覆われている。また、この加熱発色処理を施したポリパラキシリレン14の表面には、耐湿性の保護膜としてのポリパラキシリレン膜16が設けられ、更に、このポリパラキシリレン膜16の表面に耐湿性の向上を目的とするAl膜18が形成されている。
Claim (excerpt):
基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレータパネルにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とするシンチレータパネル。
IPC (2):
FI (2):
G01T 1/20 E
, H01J 31/50 A
F-Term (13):
2G088FF02
, 2G088GG10
, 2G088GG14
, 2G088JJ09
, 2G088JJ35
, 2G088JJ37
, 2G088LL15
, 2G088LL21
, 2G088MM04
, 5C037GH04
, 5C037GH05
, 5C037GH18
, 5C037GJ01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
放射線撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-112326
Applicant:キヤノン株式会社
-
誘電体膜の成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-273838
Applicant:ソニー株式会社
-
特開平1-240887
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Cited by examiner (6)
-
放射線撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-112326
Applicant:キヤノン株式会社
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誘電体膜の成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-273838
Applicant:ソニー株式会社
-
特開平1-240887
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