半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998202117
Publication number (International publication number)：2000036509
Application date： Jul. 16, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】電極のプリント基板との接合部に電極を剥離させたり接触抵抗を増大させたりするような熱応力の集中のない半導体装置の製造方法を提供する。また、塗膜の熱収縮による半導体装置の湾曲を軽減または防止した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】電極パッド2の形成された半導体基板1の表面に電極パッド2を除いて絶縁保護膜3を形成する。次に、電極パッド2を被覆するバリアメタル4層を形成する。続いて、半導体基板1の表面をバリアメタル4層の少なくとも一部を露出させる穴部6を残して硬化性樹脂5で被覆する。そして、導電材料により穴部6を充填するとともにその上に突出部を形成する。最後に、導電材料を熱処理して電極を形成し、半導体装置が製造される。

Claim (excerpt)：

電極パッドの形成された半導体基板の面に前記電極パッドの部分を除いて絶縁保護膜を形成する工程と、前記電極パッドを被覆するバリアメタル層を形成する工程と、前記半導体基板の面を前記バリアメタル層の少なくとも一部を露出させる穴部を残して硬化性樹脂で被覆する工程と、導体材料により前記穴部を充填するとともにその上に突出部を形成する工程と、前記導体材料を熱処理して前記硬化性樹脂の被覆から突出した電極を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/60 , H01L 21/60 311 , H01L 21/78

FI (5)：

H01L 21/92 604 E , H01L 21/60 311 S , H01L 21/80 , H01L 21/92 602 L , H01L 21/92 604 S

F-Term (7)：

4M105FF02 , 4M105FF03 , 4M105FF04 , 4M105FF05 , 4M105GG17 , 4M105GG18 , 4M105GG19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

樹脂封止型半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-176307 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-002318 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-346545 Applicant：新光電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page