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J-GLOBAL ID：200903086796883950

レジストパターンの形成方法

Inventor： 柴田 剛 ,  塩原 英志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992261335
Publication number (International publication number)：1994110212
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】光酸発生剤を含有する化学増幅型のフォトレジストを用いてレジストパターンを形成する際に、下地からの影響を低減し、良好な形状が得られるレジストパターンの形成方法を提供すること。【構成】被処理基板上に、有機フッ化物からなる膜および光酸発生剤を含むフォトレジスト膜をこの順序で順次形成する工程と、前記フォトレジスト膜に対して選択的に高エネルギー線を照射し、露光処理する工程と、露光処理された該フォトレジスト膜を加熱した後に現像する工程とを具備する。

Claim (excerpt)：

被処理基板上に、有機フッ化物からなる膜および光酸発生剤を含むフォトレジスト膜をこの順に形成する工程と、該フォトレジスト膜に対して選択的に高エネルギー線を照射し、露光処理する工程と、該露光処理されたフォトレジスト膜を加熱した後に現像する工程とを具備することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/11 503 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

FI (4)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 321 ,  H01L 21/30 361 T ,  H01L 21/30 361 K