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J-GLOBAL ID:200903086801222436

真空成膜装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997118955
Publication number (International publication number):1998310864
Application date: May. 09, 1997
Publication date: Nov. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 絶縁物、高融点材料、あるいは高い熱伝導性を持つ物質などの蒸着材料であっても、安定して成膜を行うことができる真空成膜装置を提供する。【解決手段】 真空容器と、真空容器に取り付けられたプラズマ源としてのプラズマビーム発生器と、真空容器内の底部に配置された陽極としてのハース41とを有している。プラズマビーム発生器20が発生するプラズマビームをハース41に導き、付着材料としての蒸発材料200をイオン化し、ハース41の上方に配置されかつ電圧が印加された被処理物体としての基板上に蒸発材料200から成る膜を形成する真空成膜装置である。導電性および耐熱性を持ち、蒸着材料200を収容する容器形のライナ43を有している。ライナ43は、ハース41に対して電気的接続を確保すると共に、熱伝導性が低い接続関係になるように取り付けられている。
Claim (excerpt):
真空容器と、前記真空容器に取り付けられたプラズマ源と、前記真空容器内の底部に配置されたハースとを有し、前記プラズマ源が発生するプラズマビームを前記ハースに導き、該ハース内に収納された蒸着材料を蒸発さて被処理物体表面に膜を形成する真空成膜装置において、導電性および耐熱性を持ち、蒸着材料を収容する容器形のライナを前記ハース内に収納し、前記ライナは、前記ハースに対して電気的接続を確保すると共に、上部が該ハースに対して熱伝導性が低い接続関係になるようにして収納されることを特徴とする真空成膜装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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