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J-GLOBAL ID：200903086806810131

薄膜状半導体装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  張 宏勇 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 渡邉 順之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998073051
Publication number (International publication number)：1998341024
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【目的】 異なった特性の薄膜トランジスタを同一基板上に形成した半導体装置の提供。【構成】 絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する工程において、アモルファス半導体被膜を形成した後、異なる第1の条件のレーザー光を選択的に照射した後に、第2の条件のレーザー光を基板全面にもしくはその一部に照射することによって、薄膜トランジスタの結晶性を変化させることによって、1枚の基板上に異なった特性の薄膜トランジスタを形成して薄膜状半導体装置を得る。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成され、アルミニウムを主成分とする金属材料をゲイト電極として有する複数の薄膜トランジスタを持つアクティブマトリクス回路及び周辺駆動回路を備える薄膜状半導体装置において、前記アクティブマトリクス回路中の薄膜トランジスタの活性領域はエネルギー密度の低いレーザー光の照射によって結晶化された半導体からなり、前記周辺駆動回路中の薄膜トランジスタの活性領域は、前記アクティブマトリクス回路中の半導体を結晶化させる際に使用したレーザー光より高いエネルギー密度を有するレーザー光によって結晶化された半導体からなることを特徴とする薄膜状半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268

FI (4)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 612 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-045162
  
• 特開平4-124813
  
• 特開平2-027320