Pat
J-GLOBAL ID：200903086820056520
エッチング液およびエッチング方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993135845
Publication number (International publication number)：1994349807
Application date： Jun. 07, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 単純なプロセスで制御性良く、サブミクロンパタンを形成することができるエッチング液およびエッチング方法を提供する。【構成】 臭素を含む水溶液を用いて、レジストパタン12を有するInP基板11にサブミクロンの形状をエッチングする際に、臭素濃度を0.5%以下、水溶液の温度を10°C以下凝固点以上とする。
Claim (excerpt)：
臭素を含む水溶液を用いて、少なくともインジウムもしくはガリウムと燐もしくは砒素とを含む化合物半導体にサブミクロンの形状をエッチングする際に用いるエッチング液であって、臭素濃度が0.5%以下、水溶液の温度が10°C以下凝固点以上であることを特徴とするエッチング液。
IPC (2)：
H01L 21/308
, H01L 21/306
