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J-GLOBAL ID：200903086843944571

トレンチ形成方法

Inventor： ケイロロ ジョゼッペ ,  オッタヴィアニ ジャンピエロ ,  セロフォリニ ジャンフランコ
Applicant, Patent owner： エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル
Agent (1)： 高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998188398
Publication number (International publication number)：1999087491
Application date： Jul. 03, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】単結晶基板や多結晶層などの結晶体にトレンチを形成するより良い方法を提供する。【解決手段】トレンチ形成範囲を規定するマスクを結晶体表面に作成する工程と、この結晶体を低温に維持してトレンチ形成部分以外へのイオン拡散を防止しながら、所定の運動エネルギー及びドーズ量でイオン注入を行いトレンチ形成部分をアモルファス化する工程と、この結晶体を加熱していき、隣接結晶格子との界面からアモルファス化部分を排除する工程と、を実施する。

Claim (excerpt)：

トレンチ形成範囲を規定するマスクを結晶体表面に作成する工程と、この結晶体を低温に維持してトレンチ形成部分以外へのイオン拡散を防止しながら、所定の運動エネルギー及びドーズ量でイオン注入を行いトレンチ形成部分をアモルファス化する工程と、この結晶体を加熱していき、隣接結晶格子との界面からアモルファス化部分を排除する工程と、を含むことを特徴とする結晶体のトレンチ形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/302 P