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J-GLOBAL ID：200903086844374337
光メモリ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995339595
Publication number (International publication number)：1997179237
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】量子ドットを用いる光メモリ素子に関し、メモリ情報の喪失を防止すること。【解決手段】第一導電型不純物を含む化合物半導体基板1上に形成された第一の化合物半導体層3と、前記第一の化合物半導体層3の上に形成された第一の量子ドット4dと、前記第一の量子ドット4dを覆う第二の化合物半導体層5と、前記第一の化合物半導体層3及び前記第二の化合物半導体層5のうち前記第一の量子ドット4dに接しない側で且つキャリアの移動方向と反対側に存在するとともに、前記化合物半導体基板1よりもエネルギバンドギャップが広い第一のエネルギバリア層6とを含む。
Claim (excerpt)：
第一導電型不純物を含む化合物半導体基板上に形成された第一の化合物半導体層と、前記第一の化合物半導体層の上に形成された第一の量子ドットと、前記第一の量子ドットを覆う第二の化合物半導体層と、前記第一の化合物半導体層及び前記第二の化合物半導体層のうち前記第一の量子ドットに接しない側であってキャリアの移動方向と反対側に存在するとともに、前記化合物半導体基板よりもエネルギバンドギャップが広い第一のエネルギバリア層とを有することを特徴とする光メモリ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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