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J-GLOBAL ID：200903086844445951

電界放出カソードの製造方法

Inventor： 新山 剛宏 ,  渡辺 照男 ,  伊藤 茂生 ,  大津 和佳
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 脇 篤夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993313972
Publication number (International publication number)：1995141984
Application date： Nov. 22, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電界放出カソ-ド素子を製造する際の歩留を改善することを目的とする。【構成】 ガラス等の基板121の上面に抵抗率が102 Ω/cm〜104 Ω/cm程度となるn又はp型アモルフアスシリコン層122を蒸着し、この層の所定の領域にレ-ザを照射してアニ-ル処理を行う。アニ-ルされた領域はアモルフアス状態から多結晶化され、導電体に近い抵抗率を有するカソ-ド領域123に変化させることができる。【効果】 このn又はp型アモルフアススリコン層122の上面に絶縁層124、ゲ-ト電極層125を成膜すると、FECを製造するための積層基板の各層が平坦になり、FEC製造プロセスで発生し易いゲ-ト電極の亀裂をなくすることができる。

Claim (excerpt)：

基板上にプラズマCVD法、又は減圧CVD法等によってn又はp型アモルファスシリコン層を成膜し、前記n又はp型アモルファスシリコン層の所定の位置をレーザアニールによって多結晶化することによりカソード電極領域を形成すると共に、上記n又はp型アモルファスシリコン層の上面に少なくとも絶縁層、ゲート電極層を成膜し、所定の位置をエッチング、および蒸着するFEC製造工程によって多数のエミッタ、およびゲート電極を形成することを特徴とする電界放出カソードの製造方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30