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J-GLOBAL ID:200903086861428521
ダイヤモンド相炭素管及びその製造の為のCVD方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 稔 (外7名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1996504824
Publication number (International publication number):1998502971
Application date: Jul. 17, 1995
Publication date: Mar. 17, 1998
Summary:
【要約】化学蒸着(CVD)技術を使用するダイヤモンド成長による中空ダイヤモンド管の製造方法。ダイヤモンド核形成部位を有する、適当な材料、例えば、タングステン、モリブデン、銅又は珪素が、一般にはワイヤー形状で、螺旋に形成される。螺旋は、次いで、螺旋上にダイヤモンドを沈着する為のCVD室に配置され、或いは移動される。螺旋の適当なピッチ及直径が、ダイヤモンドの成長表面が融合し、中空ダイヤモンド管を形成するまで、螺旋上にダイヤモンド沈着をもたらす。
Claim (excerpt):
ダイヤモンド核形成部位を確立する為に前処理された表面を有する細長い基体材料をダイヤモンド被覆する方法であって、以下の工程: (i) 細長い材料を、螺旋のピッチが、その螺旋の直径よりも小さい実質的に螺旋形態に巻く工程、 (ii)螺旋の隣接ピッチに沈着したダイヤモンドの成長表面が融合して、螺旋のピッチを閉じ、中空ダイヤモンド管を形成する様に、化学蒸着によって、その細長い基体材料の上にダイヤモンドの沈着によって細長い基体材料を封入する工程、 を含むことを特徴とする方法。
IPC (3):
C23C 16/44
, C23C 16/26
, C30B 29/04
FI (3):
C23C 16/44 A
, C23C 16/26
, C30B 29/04 X
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