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J-GLOBAL ID：200903086863955014

誘電体薄膜形成用下地電極の形成方法

Inventor： 林 重徳 ,  神野 伊策 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992221201
Publication number (International publication number)：1994065715
Application date： Aug. 20, 1992
Publication date： Mar. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板との密着性が良好で、誘電体薄膜/下地電極/基板の各成分の相互拡散が防止でき、下地電極の上に結晶性、配向性に優れた高品質のペロブスカイト型複合化合物からなる誘電体薄膜が形成しうる下地電極の形成方法を提供する。【構成】 イオン源4によるイオンビームスパッタ法によりPtターゲット6をスパッタリングして基板1上に下地電極2を形成する際に、アシストイオン源5を用いて、酸素イオンを同時照射しながら下地電極を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に下地電極が形成され、更に前記下地電極上に一般式ABO3 で構成されるペロブスカイト型複合化合物からなる誘電体薄膜が形成されてなる誘電体薄膜積層体における下地電極の形成方法において、前記下地電極を基板上に形成する際に、酸素イオンあるいは酸素原子を同時照射しながらPtおよびPdのうち少なくとも1種の元素を含む下地電極材料を基板上に蒸着させることからなる誘電体薄膜形成用下地電極の形成方法。ここで一般式中、Aは、Pb、Ba、SrまたはLaの少なくとも1種、Bは、TiおよびZrのうち少なくとも1種の元素を表す。

IPC (6)：

C23C 14/08 ,  H01B 3/12 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/203