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J-GLOBAL ID：200903086868478630
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992028301
Publication number (International publication number)：1993226374
Application date： Feb. 14, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：
【要約】【目的】広い動作範囲と高利得の特長を合わせ持つ高速のトランジスタを提供する【構成】 このトランジスタは、デルタドープ層(n型)を少なくとも1つ含むGaAs層140の上下にノンドープのGaInAs層130a,130bを配置した3層構造のチャネル層を有する。三層構造のチャネル層の上下には、ノンドープのGaAs層であるキャップ層150、バッファ層120が設けられ、基板110上に形成されている。ゲート電極340と、ゲート電極に対して自己整合的に形成されたソース領域350a,ドレイン領域350b,ソース電極360,ドレイン電極370が形成されている。
Claim (excerpt)：
ドレイン-ソース間のチャネルに流れる電流の制御がゲート電極に加える電圧によってなされる半導体装置であって、n型ドーパントを含む少なくとも1つの2次元状の層及びこの2次元状の層それぞれを挟むノンドープ層からなるGaAs層と、このGaAs層を挟むノンドープGaInAs層とで構成されたチャネル層を有し、前記ゲート電極に電気的につながれ、GaInAsよりもバンドギャップの大きいノンドープの半導体からなるキャップ層と、GaInAsよりもバンドギャップの大きいノンドープの半導体からなるバッファ層とを前記チャネル層の両側に備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H03F 3/189
