Pat

J-GLOBAL ID：200903086869486180

プラズマCVD製膜装置及び製膜方法

Inventor： 青井 辰史 ,  山内 康弘 ,  竹内 良昭 ,  山越 英男
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000315306
Publication number (International publication number)：2002121677
Application date： Oct. 16, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、放電電力の損失をなくすこと課題とする。【解決手段】生成プラズマにより反応性ガスを分解反応させて基板上に製膜するプラズマCVD製膜装置において、反応容器11と、この反応容器11内の中央部に配置された、電極カバー12で囲まれたラダー電極13と、前記反応容器11内で前記ラダー電極13の両サイドに配置された、前記ラダー電極13側に基板17を支持・加熱するヒータ源18a,18bと、前記ラダー電極13と前記基板17間に反応性ガスを供給するガス供給機構16と、前記ラダー電極13に電気的に接続された高周波電源20とを具備することを特徴とするプラズマCVD製膜装置。

Claim (excerpt)：

生成プラズマにより反応性ガスを分解反応させて基板上に製膜するプラズマCVD製膜装置において、反応容器と、この反応容器内の中央部に配置された、電極カバーで囲まれたラダー電極と、前記反応容器内で前記ラダー電極を介して向かい合う位置に配置された、前記ラダー電極側に基板を支持・加熱するヒータ源と、前記ラダー電極と前記基板間に反応性ガスを供給するガス供給機構と、前記ラダー電極に電気的に接続された高周波電源とを具備することを特徴とするプラズマCVD製膜装置。

IPC (3)：

C23C 16/509 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C23C 16/509 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

F-Term (16)：

4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030HA13 ,  4K030JA03 ,  4K030JA12 ,  4K030JA17 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP11 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07