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J-GLOBAL ID：200903086887769351

セラミックス電子回路基板の製造方法

Inventor： 寧 暁山 ,  永田 長寿 ,  桜庭 正美 ,  田中 敏和
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995088777
Publication number (International publication number)：1996259342
Application date： Mar. 22, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 金属溶湯を直接セラミックス基板上に凝固させることにより金属とセラミックスとの複合体を形成し、これを用いて耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス電子回路基板を製造する方法の提供。【構成】 板状のセラミックス部材2を、ヒーター4で加熱された金属溶湯1を保持しているるつぼ7の一方の壁に連結した入口側ダイス6Aに導入し、この中を水平に通過させて金属溶湯1中に導入し、さらに該溶湯中を通過させてるつぼ7の他方の壁に連結された出口側ダイス6B中に導入しこれらを通過させる間にセラミックス部材の両面に溶湯から凝固した金属5を平板状に接合させる。該接合金属5の表面を研磨して均質化した後、所定パターンのレジスト膜を形成し、エッチングにより所定の回路パターンを形成した後めっき処理してセラミックス電子回路基板を得る。

Claim (excerpt)：

セラミックス基板を金属溶湯に接触させた状態で移動し、溶湯で濡らした後冷却することによって該セラミックス基板の表裏両面に溶湯から凝固した金属板を接合し、金属-セラミックス複合部材と成す接合工程と;次いで上記表裏両面の金属板を研磨することによって均質化する研磨工程と;次いで研磨した表面金属板上に感光性樹脂膜を加熱圧着し、フォトマスクを通して露光した後現像処理することにより回路パターン形状のレジスト膜を形成し、一方、研磨した裏面金属板上には表面金属板上と同様の手法で放熱板形状のレジスト膜を形成するレジスト形成工程と;次いでエッチング液によってセラミックス基板の片面上に所望の金属回路パターンを、裏面には金属放熱板を形成するエッチング工程と;次いで得られた金属回路パターン並びに放熱板上にめっき処理を施すめっき工程と;から成ることを特徴とするセラミックス電子回路基板の製造方法。

IPC (8)：

C04B 37/02 ,  B29D 31/00 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/44 ,  H05K 1/03 630 ,  H05K 3/00 ,  B29L 31:34

FI (7)：

C04B 37/02 Z ,  B29D 31/00 ,  H05K 3/06 A ,  H05K 3/24 A ,  H05K 3/44 Z ,  H05K 1/03 630 H ,  H05K 3/00 R