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J-GLOBAL ID：200903086902915459

圧電薄膜振動子の製造方法

Inventor： 笠置 昌克 ,  森本 茂行 ,  ウー・ ホク・ホア ,  坂本 信義
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349647
Publication number (International publication number)：1994204776
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 犠牲膜を形成することなしに、ウエハ片面だけのフォトリソ工程という簡単な製造プロセスで、容易にSiウエハ表面に圧電薄膜振動子を形成する。【構成】 (100)Siウエハ1の異方性エッチングを行って圧電薄膜振動子を形成する工程において、(100)Siウエハ1を異方性エッチングする際に、ガラスマスク21を用い、矩形開口部の一辺が(100)Siウエハ1の(110)軸と角度θ(例えば、20°〜45°)をなすように該(100)Siウエハ1の裏面にエッチング用マスクパターンを形成し、このマスクパターンを用いて異方性エッチングを行い、該(100)Siウエハ1内に圧電薄膜振動子を架設するための穴を形成する。

Claim (excerpt)：

(100)Siウエハの片面に、エッチング用の矩形開口部を有するエッチング用マスクパターンを形成し、前記エッチング用マスクパターンを用い、前記(100)Siウエハに対する異方性エッチングを行って該(100)Siウエハに穴を形成し、前記穴上に電極付きの圧電薄膜を架設形成する圧電薄膜振動子の製造方法において、エッチング用マスク材である絶縁膜に前記エッチング用の矩形開口部を形成する場合に、該矩形開口部の一辺が前記(100)Siウエハの(110)軸と0でない角度をなすように前記エッチング用マスクパターンを形成し、このエッチング用マスクパターンを用いて前記異方性エッチングを行うことを特徴とする圧電薄膜振動子の製造方法。

IPC (4)：

H03H 3/02 ,  H01L 21/306 ,  H03H 9/17 ,  H01L 41/24