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J-GLOBAL ID：200903086906011449

窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法

Inventor： 岡崎 均 ,  小田 修
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995230508
Publication number (International publication number)：1997071496
Application date： Sep. 07, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた窒化ガリウム層の剥離性が良く、容易に窒化ガリウム単結晶の厚膜を得ることができる方法を提供する。【解決手段】 Gaペロブスカイト基板またはAlペロブスカイト基板の{101}面または{011}面上に、窒化ガリウムの単結晶層を100μm以上の厚さ、好ましくは200μm以上の厚さとなるようにハイドライドVPE法によりエピタキシャル成長させた後に、該成長層を前記基板から剥離して窒化ガリウム単結晶の厚膜を得る。

Claim (excerpt)：

ガリウムまたはアルミニウムを構成元素として含むペロブスカイト型の結晶構造を有する基板上に窒化ガリウムの単結晶層をエピタキシャル成長させた後に、該成長層を前記基板から剥離して窒化ガリウム単結晶の厚膜を得ることを特徴とする窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法。

IPC (3)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭61-007621
  
• 特公昭61-002635
  
• 特開平2-211620
  
• 特開平2-229475
  

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-007621
  
• 特公昭61-002635
  
• 特開平2-211620
  
• 特開平2-229475