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J-GLOBAL ID：200903086912367441
光半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210237
Publication number (International publication number)：1993037007
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】 加工しようとする基板1の表面に、気相エッチング用マスク材を最上層に有する異種の材料からなるエッチングマスク層10を上層ほど外形が大きくなるように多層に形成し、上記最上層の気相エッチング用マスク層をエッチングマスクとして基板1を気相エッチングした後、上記最上層の気相エッチング用マスク層を選択エッチングで除去し、次に、上記基板をウェットエッチングする工程と上記マスク層の最表面を一層だけ選択エッチングする工程とを交互に繰り返すことで基板表面をレンズ状に加工させるようにした。【効果】 フォトレジスト膜を熱処理で変形させてマスク層を形成する方法に比べて、任意の形状の制御性および再現性が向上するとともに、予め多層構造のマスク層を形成しておいてエッチング工程をまとめて行なうため、マスク層の形成工程とそれを用いたエッチング工程とを交互に繰り返す方法に比べて作業効率を高めることができる。
Claim (excerpt)：
加工しようとする基板の表面に、気相エッチング用マスク材を最上層に有する異種の材料からなるエッチングマスク層を上層ほど外形が大きくなるように多層に形成し、上記最上層の気相エッチング用マスク層をエッチングマスクとして基板を気相エッチングした後、上記最上層の気相エッチング用マスク層を選択エッチングで除去し、次に、上記基板をウェットエッチングする工程と上記マスク層の最表面を一層だけ選択エッチングする工程とを交互に繰り返すことで基板表面をレンズ状に加工するようにしたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 31/10
, H01L 21/302
, H01L 33/00
