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J-GLOBAL ID：200903086919167073

シリカ薄膜の製造方法

Inventor： 鯉沼 秀臣 ,  本宮 達彦 ,  林田 章
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993339522
Publication number (International publication number)：1994330326
Application date： Dec. 03, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：

【要約】【構成】 不活性ガスをメインガスとして発生させた大気圧グロー放電ビームプラズマに下記一般式(1)R1nSi(OR2)4-n ...(1)(但し、R1は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基、R2は低級アルキル基を示し、nは0〜4の整数を示す。)で示されるシラン化合物をガス状で供給して、基体上にシリカ薄膜を堆積する。【効果】 本発明による大気圧グロー放電ビームプラズマを用いたシリカ薄膜の製造方法は、大気中で基体上に堆積することが可能であり、また、比較的低温で堆積が可能であるため、種々広範な基体を選択することができる。

Claim (excerpt)：

不活性ガスをメインガスとして発生させた大気圧グロー放電ビームプラズマに下記一般式(1) R1nSi(OR2)4-n ...(1)(但し、R1は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基、R2は低級アルキル基を示し、nは0〜4の整数を示す。)で示されるシラン化合物をガス状で供給して、基体上にシリカ薄膜を堆積することを特徴とするシリカ薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316