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J-GLOBAL ID：200903086929059120
マイクロ・プラズマジェット形成装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076810
Publication number (International publication number)：1993283193
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 超小型のプラズマジェットを形成するマイクロ・プラズマジェット形成装置を提供する。【構成】 シリコンウエハ2上に絶縁層1を介してN+ シリコン層3が形成されたSOIウエハを用い、N+ シリコン層3に溝3aを形成することにより、ガス流通路の形成およびN+ シリコン層3による電極層7,8の絶縁分離をはかる。この際、陰極7,陽極8間距離およびノズル孔3bの形状が精度よく設定される。ガラス11に設定された電極6を電源4に接続することにより、溝3a内壁の一部を形成する絶縁物表面に沿って沿面放電が発生され、ガス導入孔5より溝3aに導入されたプラズマ源ガス10はプラズマ化され、ノズル孔3bよりプラズマジェット9として噴出される。ノズル孔3bの径は、N+ シリコン層3の膜厚によって規定され、微細なプラズマジェットが実現される。
Claim (excerpt)：
表面に導電層が形成された絶縁性基板の該導電層に、前記絶縁性基板にまで至るとともに該導電層側部に開口部を有する溝を形成する工程と、前記導電層を挟むようにして前記絶縁性基板上に蓋用基板を接合し、該接合基板内に前記溝による空洞部を構成する工程と、前記導電層側部の前記溝の開口部をプラズマジェット噴出ノズルとして前記空洞部にプラズマ源ガスを供給すべく、前記蓋用基板に前記空洞部と連通するガス導入孔を形成する工程と、前記空洞部に露出された少なくとも前記絶縁性基板の絶縁面に沿って沿面放電領域が設定されるように、前記導電層と電気接続する電極部を構成する工程とを含むことを特徴とするマイクロ・プラズマジェット形成装置の製造方法。
IPC (2)：
H05H 1/32
, B23K 10/00 504
