Pat
J-GLOBAL ID：200903086936224439
交換結合膜とその製造方法、前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999113438
Publication number (International publication number)：2000031562
Application date： Aug. 24, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：
【要約】【目的】 従来、反強磁性層として使用されていたNiMn合金の場合、固定磁性層(例えばNiFe合金)との界面構造を整合状態としても、不規則格子から規則格子に変態するが、NiMn合金よりも優れた反強磁性材料である白金族元素を用いたX-Mn合金の場合、固定磁性層との界面構造を整合状態とすると、不規則格子から規則格子に変態できず、交換異方性磁界を得ることができないという問題点があった。【構成】 反強磁性層4はX-Mn(Xは白金族元素)で形成され、前記反強磁性層の格子定数は、固定磁性層3の格子定数よりも大きくされている、これにより、熱処理を施すことによって、前記反強磁性層の結晶構造は、不規則格子から規則格子に変態し、より大きな交換異方性磁界を得ることが可能になる。
Claim (excerpt)：
反強磁性層と強磁性層とが接して形成され、前記反強磁性層と強磁性層との界面にて交換異方性磁界が発生し、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記反強磁性層は、少なくとも元素X(ただしXは、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうちいずれか1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成され、前記強磁性層の格子定数よりも、前記反強磁性層の格子定数の方を大きくしたことを特徴とする交換結合膜。
IPC (4)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 10/30
