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J-GLOBAL ID：200903086941830673

ドライエッチング方法

Inventor：
伊澤 光貴

About 伊澤 光貴


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999101473
Publication number (International publication number)：2000294544
Application date： Apr. 08, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【課題】 TiNのエッチングにCl2/BCl3/CHF3のようなガスが用いた場合には、アッシングによるレジストの剥離性が悪い。【解決手段】 SiO2上にあるTiNを含む積層膜をレジストをマスクとしてエッチングする方法において、積層膜エッチング後のオーバーエッチング工程またはエッチング後処理にSF6を50%以上含むガスを用いることにより、アッシングによるレジストの剥離性を向上させる。
Claim (excerpt)：
SiO2上に設けられたTiNを含む積層膜をレジストをマスクとしてドライエッチングする方法において、積層膜エッチング後のオーバーエッチング工程またはエッチング後処理に、SF6を50%以上含むガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (3)：
H01L 21/302 N ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 572 A
F-Term (24)：
2H096AA25 ,  2H096HA14 ,  2H096HA30 ,  5F004AA00 ,  5F004BD02 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F046NA19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-239323
  • 特開平2-174122
  • プラズマエッチング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-144900   Applicant：株式会社日立製作所
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