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J-GLOBAL ID:200903086943403721

有機-無機半導体ヘテロ接合を有する光半導体素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小山 有
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003002208
Publication number (International publication number):2004214547
Application date: Jan. 08, 2003
Publication date: Jul. 29, 2004
Summary:
【課題】良好な整流特性を有する有機-無機半導体ヘテロ接合を有する光半導体素子、および、これからなる紫外線のみに高感度で簡便な紫外線センサーを提供する。【解決手段】無機半導体として、Nb,Ta,As,Sb,W、または、Laを少量ドープすること、または酸素欠損を導入することによりn型半導体特性を持たせた二酸化チタン(TiO2)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)またはチタン酸バリウム(BaTiO3)を用い、その上に有機半導体としてフタロシアニンを含む分子性化合物またはポリチオフェンを含む高分子化合物を積層することにより、簡便に有機-無機半導体接合を作製する。本有機-無機半導体接合は、紫外線のみを吸収し光伝導セルまたはフォトダイオードとしての機能するため、高感度な紫外線センサーとして機能する。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
n型半導体特性を有するチタンを含む酸化物上に、有機物半導体薄膜を積層することで形成される有機-無機半導体ヘテロ接合を有する光 半導体素子。
IPC (3):
H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  H01L31/08
FI (4):
H01L31/10 A ,  G01J1/02 B ,  G01J1/02 G ,  H01L31/08 Z
F-Term (20):
2G065AB05 ,  2G065BA02 ,  2G065BA09 ,  2G065DA06 ,  5F049MA03 ,  5F049MB01 ,  5F049MB08 ,  5F049NA20 ,  5F049NB07 ,  5F049PA20 ,  5F049SS02 ,  5F049WA05 ,  5F088AA02 ,  5F088AB01 ,  5F088AB13 ,  5F088BA20 ,  5F088BB06 ,  5F088CB20 ,  5F088GA03 ,  5F088LA05

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