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J-GLOBAL ID：200903086954640369

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 藤原 剛 ,  今井 俊則
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999130003
Publication number (International publication number)：2000323569
Application date： May. 11, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低誘電率膜を適用した多層配線を有する半導体集積回路装置を実現することのできる技術を提供する。【解決手段】 下層配線3と上層配線5とを接続するプラグ7の柱を形成した後に、プラグ7の周囲に低誘電率膜4aを設け、さらに低誘電率膜4aの上層にプラズマCVDにより形成した酸化シリコン膜4bを設けているので、低誘電率膜4aには微細加工を必要とせず、さらに低誘電率膜4aがO2 プラズマに晒されるのを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

下層配線上に層間絶縁膜を挟んで上層配線が設けられ、前記下層配線と前記上層配線とはプラグを介して接続された多層配線を備えた半導体集積回路装置であって、前記下層配線の側壁および前記プラグの側壁に第1の絶縁膜からなるサイドウォールがそれぞれ形成され、前記層間絶縁膜は低誘電率膜の上層に第2の絶縁膜が設けられた積層膜を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。

FI (2)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 A

F-Term (34)：

5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24