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J-GLOBAL ID：200903086958171428

放熱基板及びその製造方法

Inventor： 市田 晃 ,  小林 昭
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995288257
Publication number (International publication number)：1997129792
Application date： Nov. 07, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 所望する熱膨張係数を備え,また,軽量化ができ,さらに,秀でた熱伝導率を備えた半導体装置用の放熱基板とその製造方法とを提供すること。【解決手段】 半導体素子を搭載する放熱基板は,基板部材として少なくともその基板の一方向の熱伝導率が300W/m・K以上である炭素繊維複合材の表面に,前記炭素繊維複合材に対して,2kgf/mm2 以上の密着強度を有する少なくとも下地めっき層を含む金属表面層を形成することで製造される。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載する放熱基板において,炭素繊維複合材によって形成される基板部材と前記基板部材の表面に形成された金属表面層とから実質的になり,前記炭素繊維複合材は,少なくとも一方向の熱伝導率が300W/m・K以上であり,前記金属表面層は,前記炭素繊維複合材に対して2.0kgf/mm2 以上の密着強度を有する下地めっき層を含むことを特徴とする放熱基板。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭55-127044
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-344272   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-127044
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-344272   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭55-127044