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J-GLOBAL ID：200903086961304676

半導体装置

Inventor： 岡本 龍郎 ,  小河 育夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992311592
Publication number (International publication number)：1993343403
Application date： Sep. 11, 1985
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 アルミシリコン配線6とBPSG膜4との組合せにおいて、コンタクトホール7の析出シリコンを防止するため。【構成】 BPSG膜4上にボロンの拡散を抑制する金属膜5を設ける。【効果】 コンタクト抵抗が減少し、対ビッド不良が少なくなった。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に絶縁膜として配置されたボロン(B)とリン(P)を含むシリコン酸化膜(BPSG)と、上記絶縁膜の上部に配置されたモリブデンシリサイドを含む第1の金属膜とシリコンを含むアルミ合金からなる第2の金属膜と、上記絶縁膜に形成されたコンタクト穴を通して上記第1、第2の金属膜とシリコン基板に形成された不純物拡散層が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90