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J-GLOBAL ID：200903086962229759

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 倉中 聡 ,  森 義弘 ,  冨士原 潔 ,  石野 正人
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993015192
Publication number (International publication number)：1994232495
Application date： Feb. 02, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型化合物半導体層上に形成されたTi/Pt電極構造において、高価なPt層の膜厚を減らすこと、また絶縁膜にかかる応力を軽減して高い信頼性を持つ電極を有する半導体装置を提供する。【構成】 Ti/Pt電極をなすTi蒸着層105a及びPt蒸着層106と、Au蒸着層107aの間にバリア金属としてTi蒸着層105bが形成されている。コンタクト窓104の部分にのみ上記Ti蒸着層105a及びPt蒸着層106が形成されている。【効果】 Tiをバリア金属として使用しているためTi/Pt電極のPtの厚さを信頼性を確保しつつ薄くすることができる。次に、絶縁膜上にはTiとPtの2層膜が存在しないため、絶縁膜に応力はかからない。そのため電極やSiO2膜上に割れやはがれが生じたり、半導体素子内に転位や欠陥が誘起され半導体装置が劣化してしまうということがなくなり、強い耐久性や長い寿命をもつなど高い信頼性が確保できる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の一主面上に、p型化合物半導体層と、Ti/Pt電極と、Ti層と、Au層とを具備し、前記p型化合物半導体層上にオーミック電極として前記Ti/Pt電極が形成され、前記Ti/Pt電極と前記Au層との間にバリア金属として前記Ti層が形成されていることを特徴とする半導体装置。