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J-GLOBAL ID：200903086968373088

半導体光機能素子

Inventor： 大沢 康宏
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
Agent (1)： 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991176857
Publication number (International publication number)：1993021782
Application date： Jul. 17, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 放射角が広いことによる信号光の損失や、バックグラウンド光の増加によるS/Nの低化という問題を解決するため、放射角を減少させる手段を備えた半導体光機能素子を提供する。【構成】 光機能素子101は半導体基板100上に設けられ、その窓部内に遮蔽物107によって、スリット106が構成されている。このスリット106は巾Wの隙間をもち、周期P、厚さHの断面形状を持っている。この場合、tanθ=W/Hなるθで、光の出射方向が限定される(θは垂直方向を0度とする)。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に受光部がありさらにその上に発光部があり、該発光部側に設けられた窓部より入力光および出力光が入出力し、前記発光部を構成する半導体材料の禁制帯巾は入力光の主ピークエネルギーより大きいものであり、前記受光部を構成する半導体材料の禁制帯巾は入力光の主ピークエネルギーに等しいかそれより小さいものであり、前記発光部から発生した出力光の一部は前記受光部に帰還し、前記受光部で吸収される光帰還効果による入力光と出力光の間に非線形な応答を有する半導体光機能素子であって、前記発光部上に位置する前記窓部に、巾Wの隙間から一部を透過し、一部光を遮光する厚さH,周期Pの複数のスリットを設けることによって、前記スリットの周期方向に関し、出射光の発光放射角半値巾θをtanθ=W/Hに狭角化することを特徴とする半導体光機能素子。

IPC (4)：

H01L 27/15 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00