半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：青山葆 , 河宮治 , 石野正弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003009515
Publication number (International publication number)：2004219371
Application date： Jan. 17, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】エピタキシャルウェハーの内部電場強度,膜厚およびバンドギャップエネルギーの評価を簡便に行えるようにする。【解決手段】半導体多層膜の分光計測において、半導体多層膜の試料に励起光を照射し、試料からの発光を分光器を通過させて検出し、分光器を掃引して、検出された発光強度をフォトンエネルギーの関数として記録する。また、白色光を前記の分光器に入射し、分光器から出射された光を前記の試料に入射し、外部変調光を前記の試料に照射した状態で、分光器を掃引して、試料からの反射光を検出し、検出された反射スペクトルをフォトンエネルギーの関数として記録する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

発光スペクトル測定時に半導体多層膜の試料を励起する励起光を発生し、反射スペクトル測定時に前記の試料への外部変調光を発生する励起光源と、反射スペクトル測定のためのプローブ光を発生する白色光源と、発光スペクトル測定時に前記の試料からの発光を分光し、反射スペクトル測定時に白色光源からのプローブ光を分光して試料に入射する分光器と、発光スペクトル測定時に前記の分光器から出射された光を検出し電気信号に変換する第1検出器と、反射スペクトル測定時に励起光源により外部変調光が照射され前記の分光器により分光されたプローブ光が入射された前記の試料からの反射光を検出し電気信号に変換する第2検出器と、発光スペクトル測定時に前記の分光器からの光を第1検出器の方に導き、反射スペクトル測定時に白色光源からの光を前記の分光器の方に導く光軸切り替え部材と、反射スペクトル測定時に前記の光軸切り替え部材に白色光源からの光を前記の分光器の方に導かせて、第1検出器により検出された電気信号を収集し、発光スペクトル測定時に前記の光軸切り替え部材に前記の分光器からの光を第1検出器の方に導かせて、第2検出器により検出された電気信号を収集する制御器とを備える半導体多層膜の分光計測装置。

IPC (5)：

G01N21/27 , G01B11/06 , G01N21/00 , G01N21/64 , H01L21/66

FI (6)：

G01N21/27 B , G01B11/06 Z , G01N21/00 B , G01N21/64 Z , H01L21/66 L , H01L21/66 P

F-Term (55)：

2F065AA30 , 2F065CC19 , 2F065DD06 , 2F065FF46 , 2F065FF51 , 2F065GG02 , 2F065GG04 , 2F065GG22 , 2F065HH04 , 2F065HH12 , 2F065HH13 , 2F065JJ01 , 2F065JJ18 , 2F065LL04 , 2F065LL22 , 2F065LL25 , 2F065LL68 , 2F065QQ33 , 2G043AA03 , 2G043CA05 , 2G043CA07 , 2G043EA01 , 2G043EA14 , 2G043GA02 , 2G043GA04 , 2G043GB18 , 2G043HA01 , 2G043HA02 , 2G043JA01 , 2G043KA08 , 2G043KA09 , 2G043NA04 , 2G059AA05 , 2G059BB08 , 2G059BB10 , 2G059BB16 , 2G059EE02 , 2G059EE07 , 2G059EE12 , 2G059GG01 , 2G059GG08 , 2G059GG10 , 2G059HH02 , 2G059JJ01 , 2G059JJ02 , 2G059JJ24 , 2G059JJ25 , 2G059KK03 , 2G059MM10 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA21 , 4M106CA48 , 4M106DH11 , 4M106DH31

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