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J-GLOBAL ID：200903086992262351
ダイヤモンド膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998052552
Publication number (International publication number)：1999246299
Application date： Mar. 04, 1998
Publication date： Sep. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】 基板材料の制約がなく、また基板温度も低減することができ、更に高純度ガスを使用する必要がなく、ダイヤモンドの合成速度も速く、合成の過程で可燃性ガスを使用する必要がないダイヤモンド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 酸素ガス圧が50乃至1000mTorrの酸素ガス雰囲気のチャンバ1内で、グラファイト、アモルファスカーボン又はダイヤモンドを含有するターゲット2に対し、レーザアブレーション又はレーザスパッタリングを行う。これにより、ターゲット2から炭素を飛散させ、基板8上に単結晶ダイヤモンド膜を合成する。基板温度は300乃至600°C、ターゲット2と基板8との間の距離は10乃至100mmの範囲である。基板8は、酸化アルミニウム(サファイア)、酸化マグネシウム、石英若しくは白金の単結晶ブロック又は単結晶薄膜からなる。
Claim (excerpt)：
実質的に酸素からなるガス雰囲気下で、グラファイト、アモルファスカーボン又はダイヤモンドを含有するターゲットに対し、レーザアブレーション又はレーザスパッタリングを行って前記ターゲットから炭素を飛散させ、基板上にダイヤモンド膜を合成することを特徴とするダイヤモンド膜の形成方法。
IPC (4)：
C30B 29/04
, B01J 19/12
, C23C 14/06
, C23C 14/34
C30B 29/04 M
, B01J 19/12 G
, C23C 14/06 F
, C23C 14/34 A
