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J-GLOBAL ID：200903086997899692

結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法

Inventor： 岡本 圭史 ,  吉見 雅士
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000047186
Publication number (International publication number)：2001237189
Application date： Feb. 24, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高品質の結晶質シリコン系半導体薄膜を低コストで製造することを可能ならしめる。【解決手段】 結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法において、基板上でそのシリコン系薄膜4をプラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、その水素ガスの純度は99.9999%以上で99.99999%未満であり、反応室内の圧力が400Pa以上に設定されていてシラン系ガスの分圧に対して水素ガスの分圧が50倍以上であることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法であって、基板上で前記シリコン系薄膜をプラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、その水素ガスの純度は99.9999%以上で99.99999%未満であり、前記反応室内の圧力は400Pa以上に設定されていて前記シラン系ガスの分圧に対して前記水素ガスの分圧が50倍以上であることを特徴とする結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 X

F-Term (30)：

4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA30 ,  4K030BA45 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA20 ,  4K030LA16 ,  4K030LA17 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AE25 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29 ,  5F051GA03