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J-GLOBAL ID：200903087000683365

半導体加速度センサ

Inventor： 三田村 健
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992015823
Publication number (International publication number)：1993209894
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】製造工程が簡単で、自己診断機能を有する加速度センサを提供する。【構成】シリコン基板13上には一端が支持された梁29が形成され、この梁29によって重り部24が支持されている。また梁29の支持部付近のシリコン基板13表面にはピエゾ抵抗23が形成されている。30は梁29及び重り部24を周囲から取り囲むように形成した略U字形の溝である。またシリコン基板13には酸化膜20が積層されている。重り部24上の酸化膜20には配線電極により形成された磁場検知用ループ16が形成され、同様に溝30の周囲を取り囲むように配線電極により形成された磁場発生用ループ15が酸化膜20に形成されている。この磁場発生用ループ15にはシリコン基板13の表面上に形成されたループ駆動用電源19によって電流が流されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され、少なくとも一端が支持された梁と、この梁によって支持された重り部と、前記梁の支持部付近に形成された拡散抵抗と、前記重り部上に所定範囲を囲むように形成された第1の線路と、前記の重り部以外の半導体基板上に、第1の線路と所定間隔を有して、第1の線路を取り囲むように形成された第2の線路と、前記線路の少なくともどちらか一方の線路に電流を流す駆動用電源と、からなる半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84