成層式ヒートシンク装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大矢須和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000125715
Publication number (International publication number)：2001308244
Application date： Apr. 26, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来のヒートシンク装置においては気流が届かなかった最も高温となる装置の中央部分に気流を届かせ、冷却効率の上昇を図る。【解決手段】通風孔4を穿設した隔壁1により装置内を吸引層L1と放散層L2に区分しかつ吸引層L1と放散層L2を連通させ、ファンFからの気流W1の負圧により外気を吸引して装置中央部に届く気流W2とし熱交換後の気流W2を通風孔4より放散層L2に流下させ気流W3として円滑に外部に放散する。

Claim (excerpt)：

MPU(超小型演算装置・micro processing unitあるいはmicro processor unitとも表記)を冷却するヒートシンク装置において、該装置の内部の構成を冷却用のフィン列が植設された1以上の隔壁により区分された2以上の層を有する層構造となし、上記隔壁に穿設せられた通風孔あるいは2以上の上記隔壁の間に設けられた空隙部分により上記2以上の層の各層間を気流が交通可能な状態に連通させ、上記2以上の層のうち少なくとも1層を気流がヒートシンク装置の中央部分に円滑に集中するように渦流状あるいは放射状に冷却用のフィン列を配設した吸引層となし、上記2以上の層のうち少なくとも1層を気流がヒートシンク装置の内部から円滑に外部に放散するように冷却用のフィン列を上記通風孔あるいは上記空隙部分から円弧状にあるいは放射状に配設した放散層となし、上記構成により上記吸引層によって吸引された気流がヒートシンク装置の中央部分にまで円滑に届く過程において上記吸引層内の冷却用のフィン列にて熱交換を行った後上記通風孔あるいは上記空隙部分を通過して上記放散層においてヒートシンク装置の外部に円滑に放散されるように構成し、さらに最下部に熱源である上記MPUのチップの表面に密着する平滑面を下面に有する上記隔壁あるいは上記フィン列に連続する底板を設けたことを特徴とする成層式ヒートシンク装置。

IPC (3)：

H01L 23/467 , G06F 1/20 , H01L 23/36

FI (3)：

H01L 23/46 C , G06F 1/00 360 C , H01L 23/36 Z

F-Term (7)：

5F036AA01 , 5F036BA04 , 5F036BA24 , 5F036BB01 , 5F036BB33 , 5F036BB35 , 5F036BB37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

冷却装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-330426 Applicant：株式会社安川電機

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