半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996105207
Publication number (International publication number)：1997293790
Application date： Apr. 25, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】サリサイド構造を有するCMOSトランジスタにおける高アスペクト比コンタクトホールと金属配線の構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】N型不純物拡散層111a上、P型不純物拡散層111b上、N型多結晶シリコンゲート112a上およびP型多結晶シリコンゲート112b上にチタンシリサイド膜114bを形成し、次いで、層間絶縁膜117を形成した後、チタンシリサイド膜114bに達するコンタクトホールを開口する。次いで、チタンシリサイド膜表面を清浄化した後、異方性スパッタ法によりTiN膜118aを形成し、W-CVD法およびWエッチバック法によりアルミ配線を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板にN型不純物拡散層およびP型不純物拡散層ならびに一対の多結晶シリコンゲート電極を有してCMOSを構成し、前記不純物拡散層の表面ならびに前記多結晶シリコンゲート電極の表面に高融点金属シリサイド膜を有し、その上に層間絶縁膜が被着され、前記層間絶縁膜に前記不純物拡散層上の前記高融点金属シリサイド膜に達するコンタクトホールが設けられた半導体装置において、窒化チタン膜が前記コンタクトホールの内壁および前記高融点金属シリサイド膜の上面に被着して形成され、前記窒化チタン膜に被着したタングステン膜が前記コンタクトホール埋設して形成され、前記コンタクトホール内から前記層間絶縁膜の上面に被着した前記窒化チタン膜の箇所が前記層間絶縁膜の上面上を延在する配線の下層膜となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 27/08 321 F , H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

バリアメタルの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-236387 Applicant：ソニー株式会社
接続孔への配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-261264 Applicant：ソニー株式会社
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-061694 Applicant：日本電気株式会社

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