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J-GLOBAL ID：200903087031019331

半導体集積回路装置、その製造方法およびその製造に用いるスパツタターゲツト

Inventor： 河渕 靖 ,  谷垣 幸男 ,  春田 亮 ,  加藤 登季男 ,  佐原 政司 ,  鈴樹 正恭 ,  石田 進一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991201715
Publication number (International publication number)：1993047760
Application date： Aug. 12, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 Cu配線の耐酸化性を向上させる。また、Si基板やSi系絶縁膜に対する接着性を向上させる。【構成】 Cu配線1の耐酸化性を向上させるため、電気陰性度がCuと同等乃至Cuよりも大きい元素を添加したCu合金を用いる。また、Si基板やSi系絶縁膜に対する接着性を向上させるため、電気陰性度がSiと同等乃至Siよりも小さい元素を添加したCu合金を用いる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にCu配線を有する半導体集積回路装置であって、前記Cu配線は、電気陰性度がCuと同等乃至Cuよりも大きい元素を0.01重量%以上、10重量%未満の範囲で添加したCu合金で構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/46