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J-GLOBAL ID：200903087033138982

化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： 漢那 慎一 ,  水谷 一良 ,  佐々木 知也
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003294268
Publication number (International publication number)：2004102264
Application date： Aug. 18, 2003
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】 160nm以下、具体的にはF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源使用時に十分な透過性を示し、エッチング速度が速く、かつドライエッチングを実施した後のサンプル表面の荒れが改善された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (a)特定の部分構造を側鎖に有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、(b)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物(c)下記計算式(1)で求められる値が0.1以上0.5以下である、分子量3000以下の低分子化合物、 (炭素原子数-酸素原子数-0.5×フッ素原子数)/全原子数 (1)及び、(d)溶剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

(a)下記一般式(I)で表される部分構造を側鎖に有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、 (b)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、 (c)下記計算式(1)で求められる値が0.1以上0.5以下である、分子量3000以下の低分子化合物、 (炭素原子数-酸素原子数-0.5×フッ素原子数)/全原子数 (1) 及び (d)溶剤 を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。

IPC (8)：

G03F7/039 ,  C08F10/14 ,  C08F12/34 ,  C08F16/24 ,  C08F20/18 ,  C08F32/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

FI (8)：

G03F7/039 601 ,  C08F10/14 ,  C08F12/34 ,  C08F16/24 ,  C08F20/18 ,  C08F32/00 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R

F-Term (34)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AA20Q ,  4J100AB07P ,  4J100AL08S ,  4J100AR09R ,  4J100AR11R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02R ,  4J100BA02S ,  4J100BB07P ,  4J100BB07R ,  4J100BB07S ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC04S ,  4J100BC08P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• WO-00/17712号パンフレット