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J-GLOBAL ID:200903087044020460
薄膜電極の形成方法及び該薄膜電極を備えたバイオセンサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000113754
Publication number (International publication number):2001296267
Application date: Apr. 14, 2000
Publication date: Oct. 26, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高感度の薄膜電極及び高性能で安価なバイオサンサを提供する。【解決手段】 基板表面を真空雰囲気下で励起された気体を衝突させることで粗面にした後、導電性物質よりなる薄膜電極層を形成することで、表面研磨処理等の前処理不要な表面濡れ性の良好な且つ高感度な薄膜電極を、また、前記薄膜電極上に試薬層を展開することで、高性能且つ安価なバイオセンサを作製する。
Claim (excerpt):
真空雰囲気下において、励起された気体を基板の表面に衝突させることで前記基板の表面を粗面にする工程の後に、粗面にした前記基板の表面上に導電性物質よりなる薄膜電極層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜電極の形成方法。
IPC (4):
G01N 27/28 331
, G01N 27/30
, G01N 27/327
, G01N 27/416
FI (5):
G01N 27/28 331 Z
, G01N 27/30 F
, G01N 27/30 B
, G01N 27/30 353 P
, G01N 27/46 338
Patent cited by the Patent:
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