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J-GLOBAL ID：200903087056079835
円形ウエハ上の結晶成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991242768
Publication number (International publication number)：1993055143
Application date： Aug. 27, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【構成】 自然劈開オリフラ付円形ウェハのオリフラ部分を保護膜により保護して結晶成長を行う。【効果】 劈開オリエンテーションフラットをベアウェハ状態の際と同じ状態で保存できることにより、この劈開オリエンテーションフラットを用いて導波路の形成や電極の形成といったアライメントが容易に精度よく行えるようになり、デバイス特性の均一化が図れ、かつ高歩留が得られる。
Claim (excerpt)：
自然劈開により形成されたオリエンテーションフラットを有する光デバイス用円形ウェハ上に結晶を成長する方法において、前記オリエンテーションフラット部分に保護膜を形成する工程と、前記保護膜により前記オリエンテーションフラット部分を保護して結晶成長を行う工程とを含むことを特徴とする円形ウェハ上の結晶成長方法。
IPC (3)：
H01L 21/20
, H01L 21/02
, H01S 3/18
