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J-GLOBAL ID:200903087056399040
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003288029
Publication number (International publication number):2005056757
Application date: Aug. 06, 2003
Publication date: Mar. 03, 2005
Summary:
【課題】 電子注入効率が高く且つ安定した発光特性が得られる有機EL装置を提供する。【解決手段】 陰極50と有機発光層60との間に有機金属錯体を含む電子注入層52を形成する。この電子注入層52の形成工程は、中心原子の価数と同数のキレート配位子を有する錯体と、中性配位子となる有機材料とを溶媒中に混合した塗布液を基板全面に塗布し、これを熱処理することにより行なう。【選択図】 図10
Claim (excerpt):
有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、電子注入層を形成する電子注入層形成工程と、陰極を形成する陰極形成工程とを含む有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記電子注入層形成工程は、中心原子の価数と同数のキレート配位子を有する有機金属錯体と、中性配位子となる有機材料とを含む塗布液を塗布し、熱処理により、前記有機発光層の上方に中心原子の価数よりも多い数の配位子を有する有機金属錯体膜を形成する工程を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
IPC (3):
H05B33/10
, H05B33/14
, H05B33/22
FI (3):
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/22 B
F-Term (8):
3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007AB11
, 3K007AB15
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA01
Patent cited by the Patent:
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