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J-GLOBAL ID：200903087089965865
露光用マスク及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995238754
Publication number (International publication number)：1997080736
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 成膜時に生じる成膜膜厚分布に伴う位相差の制御性の劣化を改善し、更にこの手法で作成したマスクを用いることでデバイスで配線等の寸法制御性を向上する。【解決手段】 透光性基板101上に半透明位相シフト膜102を形成し、感光性樹脂パターン103をマスクに位相シフト膜102を選択エッチングして半透明位相シフトパターンを形成する露光用マスクの製造方法において、位相シフト膜102のエッチングの際に露出した基板101も同時にエッチングし、かつ位相シフト膜102のエッチング速度R1と基板101のエッチング速度R0との比(R0/R1)を、基板101の屈折率n0から1を引いた値と位相シフト膜102の屈折率n1から1を引いた値との比{(n1-1)/(n0-1)}に等しくなるようにエッチング条件を設定する。
Claim (excerpt)：
透光性基板上に半透明位相シフト膜を構成要素に含む半透明位相シフトパターンを具備した露光用マスクにおいて、前記半透明位相シフト膜からなる任意のパターンにおける前記透光性基板の堀込み量が、前記半透明位相シフト膜の屈折率から1を引いた値を前記透光性基板の屈折率から1を引いた値で除して得られる値に、前記半透明膜の最大膜厚から前記任意パターンの半透明膜位相シフト膜の厚さを引いた値を乗じ、更に前記半透明位相シフト膜の膜厚最大部近傍における前記透光性基板の堀込み量を加えたものとほぼ等しいことを特徴とする露光用マスク。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
