横型高耐圧トレンチMOSFETおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994226882
Publication number (International publication number)：1996097411
Application date： Sep. 21, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】横型トレンチMOSFETの耐圧・オン抵抗のトレードオフ特性を向上させる。【構成】横型MOSFETのnドレインドリフト領域4内に表面からトレンチ3を設けることによって、ドレインドリフト長を確保し、高耐圧化が図れる。また、nドレインドリフト領域4のnソース領域9側の端で、オン時に電流経路が狭まらないため、オン抵抗が小さくできる。更にドレインドリフト長を保ったまま、nドレインドリフト領域4を短縮できるため、同じ耐圧クラスの横型DMOSFETに比べ、チップサイズを小さくでき、高集積化できる。トレンチ3内に絶縁膜5或いは半絶縁膜を充填すれば、より高耐圧化が可能である。ゲート電極7をトレンチ3の上まで伸長することも高耐圧化に有効である。

Claim (excerpt)：

第一導電型半導体層の表面層の一部に互いに離れて形成された第二導電型ソース領域、第二導電型ドレインドリフト領域と、その第二導電型ドレインドリフト領域の表面層に表面から形成したトレンチと、そのトレンチの第二導電型ソース領域と反対側の第一導電型半導体層の表面層に第二導電型ドレインドリフト領域と一部重複して形成された第二導電型ドレイン領域と、第一導電型半導体層の表面露出部の表面上にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極と、第二導電型ソース領域の表面上および第二導電型ドレイン領域の表面上にそれぞれ設けられたソース電極、ドレイン電極を有する横型高耐圧トレンチMOSFET。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

MIS電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-177334 Applicant：白土猛英
特開昭61-260676
特開昭64-051662

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