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J-GLOBAL ID：200903087106458565

可変移相器

Inventor： 神谷 信之 ,  森田 晋一 ,  面 充徳
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997007844
Publication number (International publication number)：1998209788
Application date： Jan. 20, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来の移相器は、使用周波数に対し1/4波長の電気長をもつ伝送線路が3本必要となるため、回路が大型化するという課題があった。【解決手段】 FETをスイッチとして用い、通過信号に対して回路全体が位相進み回路である直列のキャパシタに見える場合と、単なる伝送線路に見える場合とを切り替えて移相器を構成している。

Claim (excerpt)：

高周波信号を通すことが可能なFETと、一端が上記FETのドレインに接続され、他端が上記FETのソースに接続されたキャパシタとで構成したことを特徴とする可変移相器。

IPC (5)：

H03H 7/18 ,  H01P 1/18 ,  H01P 1/185 ,  H01P 5/04 ,  H03H 11/16

FI (5)：

H03H 7/18 G ,  H01P 1/18 ,  H01P 1/185 ,  H01P 5/04 D ,  H03H 11/16 B