Pat
J-GLOBAL ID:200903087108056103
ポジ型レジスト組成物
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001149861
Publication number (International publication number):2002341540
Application date: May. 18, 2001
Publication date: Nov. 27, 2002
Summary:
【要約】【課題】遠紫外光、特にArFエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが少なく、エッジラフネスが良好で、SEM観察時シュリンクが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)ヒドロキシアダマンチル基を有する特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)下記繰り返し単位(r)を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(r)中;R1aは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、又はシアノ基を表す。 R2a及びR3aは、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個のアルキル基又は水酸基を表す。但し、R2a及びR3aの少なくとも1つはアルキル基を表す。
IPC (6):
G03F 7/039 601
, C08F 20/28
, C08F 22/06
, C08F 22/40
, C08F 32/00
, H01L 21/027
FI (6):
G03F 7/039 601
, C08F 20/28
, C08F 22/06
, C08F 22/40
, C08F 32/00
, H01L 21/30 502 R
F-Term (40):
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL36Q
, 4J100AL39Q
, 4J100AL41Q
, 4J100AR09R
, 4J100BA02P
, 4J100BA02Q
, 4J100BA02R
, 4J100BA03P
, 4J100BA03R
, 4J100BA11Q
, 4J100BA12R
, 4J100BA15P
, 4J100BA15R
, 4J100BA16P
, 4J100BA16R
, 4J100BA20P
, 4J100BA20R
, 4J100BA34P
, 4J100BA34R
, 4J100BA40R
, 4J100BA58P
, 4J100BA58R
, 4J100BC08P
, 4J100BC09P
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100BC53R
, 4J100CA05
, 4J100DA28
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