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J-GLOBAL ID：200903087110199590

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 幸弘 ,  新井 克夫 ,  団野 忠敏 ,  清水 一男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999101949
Publication number (International publication number)：2000294715
Application date： Apr. 09, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 金型によるリードの切断を行なわずに底面端子型の半導体装置を製造する技術を提供する。実装時の接合強度を向上させた底面端子型の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置の外部端子となるリードが封止体底面にて露出する半導体装置に関し、前記底面に露出するリードを、その外端部にて前記底面に対して垂直方向に薄く形成する。また、その製造方法に関し、複数の半導体装置となるリードの組が連続して設けられ、各リードの封止体外端部に位置する切断部に凹部が設けられたリードフレームを用い、前記リードフレームに半導体チップを搭載し、前記半導体チップとリードフレームのリードとを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを樹脂封止する工程と、前記リードの凹部にて封止体及びリードを分離して、夫々の半導体装置に分断する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の外部端子となるリードが封止体底面にて露出する半導体装置において、前記底面に露出するリードが、その外端部にて前記底面に対して垂直方向に薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/28

FI (2)：

H01L 23/50 N ,  H01L 23/28 A

F-Term (7)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109FA02 ,  5F067AB03 ,  5F067AB04 ,  5F067BC07