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J-GLOBAL ID：200903087122863348

光学的近接補正方法

Inventor： ラルス・ウルフギャング・リーブマン ,  ロバート・トーマス・セイヤー ,  ジョン・エドワード・バース、ジュニア
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997127293
Publication number (International publication number)：1998069058
Application date： May. 16, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光学的近接補正(OPC)によって、処理により生じる微小寸法の線幅の変動を減少させることにより、VLSIデバイス・チップの性能を改善する。【解決手段】 光学的近接補正を行う方法は、光学的近接補正を、電気的に関連する構造に限定するだけでなく、個々の形状エッジを処理することによって補正の精度を改善し、設計への凹凸の導入を避けることによって、マスク製造の影響を最小にする。関連する電気的構造の重要なエッジ領域を、解析し、ソートし、処理して、光学的近接補正を受け入れる。

Claim (excerpt)：

VLSIチップのパターニング処理の精度を調整する光学的近接補正方法において、a)前記チップの電気的機能パラメータを定める設計レベルを含む、予め選択されたチップ設計を定める設計データ・セットを入力するステップと、b)前記設計データ・セットを、近接補正を必要とするレベルと、近接効果に寄与するが近接補正を必要としないレベルとにソートするステップと、c)前記近接補正を必要とするレベルを集め、第1の組のエッジ・プロジェクションを形成するステップと、d) 前記第1の組のエッジ・プロジェクションを、前記電気的機能パラメータを決める設計レベルと交差させ、その間の共通部分を集めるステップと、e)前記共通部分を、それらの近接補正特性によってソートするステップと、f)前記ソートされた共通部分を、最終的な近接補正フォトマスク形状内に作製するステップと、を含むことを特徴とする光学的近接補正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P